Ученые Южно-Уральского государственного университета разработали технологию создания фоторезистивных пленок, которые могут использоваться в сенсорах, микросхемах и светочувствительной электронике. Исследование провели Борис Полевой, Дмитрий Жеребцов, Дмитрий Живулин, Данил Ненарокомов, Александр Воронцов и московский ученый Дмитрий Годовский.
В основе разработки — пленки из сульфидов кадмия и свинца. Такие материалы меняют электрическое сопротивление под воздействием света, благодаря чему могут применяться в датчиках и оптических устройствах.
Ученые предложили создавать пленки с помощью вакуумных технологий — магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения. Наилучший результат показали образцы, нанесенные методом магнетронного распыления на кремниевые подложки. Они реагировали на свет всего за 25 микросекунд, а разница между сопротивлением в темноте и при освещении достигала пятикратного значения.
По словам исследователей, высокая скорость отклика делает такие материалы перспективными для регистрации искр, пламени и лазерного излучения. Кроме того, технология открывает возможности для интеграции фоторезистивных слоев непосредственно в кремниевые чипы.
